Winbond 3V 64M BIT Серийный чип флэш-памяти W25Q64 Интегральные схемы IC
3V 64M BIT Serial Flash Memory Chip
,Winbond 3V Serial Flash Memory Chip
,интегральные схемы W25Q64 IC
W25Q64JV W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ ФЛЭШ-ПАМЯТЬ Winbond 3 В, 64 МБИТ, С ДВУМЯ, QUAD SPI FLASH
W25Q64JV W25Q64JVZEIQ W25Q64JVZEIM ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ ФЛЭШ-ПАМЯТЬ Winbond 3 В, 64 МБИТ, С ДВУМЯ, QUAD SPI FLASH
1. ОБЩИЕ ОПИСАНИЯ
Последовательная флэш-память W25Q64JV (64 Мбит) представляет собой решение для хранения данных для систем с ограниченным пространством, контактами и мощностью.
Серия 25Q предлагает гибкость и производительность, намного превосходящие обычные устройства с последовательной флэш-памятью.
Они идеально подходят для теневого копирования кода в ОЗУ, выполнения кода непосредственно из Dual/Quad SPI (XIP) и хранения голоса, текста и данных.
Устройство работает от источника питания от 2,7 В до 3,6 В с потреблением тока всего 1 мкА при отключении питания.
Все устройства предлагаются в компактных упаковках.
Массив W25Q64JV состоит из 32 768 программируемых страниц по 256 байт каждая.Одновременно можно запрограммировать до 256 байтов.
Страницы могут быть стерты группами по 16 (стирание сектора 4 КБ), группами по 128 (стирание блока 32 КБ), группами по 256 (стирание блока 64 КБ) или всей микросхемой (стирание микросхемы).W25Q64JV имеет 2048 стираемых секторов и 128 стираемых блоков соответственно.
Небольшие сектора размером 4 КБ обеспечивают большую гибкость в приложениях, требующих хранения данных и параметров.
W25Q64JV поддерживает стандартный последовательный периферийный интерфейс (SPI), Dual/Quad I/O SPI: Serial Clock, Chip Select,
Последовательные данные I/O0 (DI), I/O1 (DO), I/O2 и I/O3.Поддерживаются тактовые частоты SPI W25Q64JV до 133 МГц, что позволяет
эквивалентная тактовая частота 266 МГц (133 МГц x 2) для двойного ввода-вывода и 532 МГц (133 МГц x 4) для четырех вводов-выводов при использовании двойного/четверенного ввода-вывода с быстрым чтением.Эти скорости передачи могут превзойти стандартную асинхронную 8- и 16-битную параллельную флэш-память.
2. ОСОБЕННОСТИ
Новое семейство памяти SpiFlash
– W25Q64JV: 64 Мбит/8 Мбайт
– Стандартный SPI: CLK, /CS, DI, DO
– Двойной SPI: CLK, /CS, IO0, IO1
– Quad SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3
- Программный и аппаратный сброс(1)
Последовательная флэш-память с высочайшей производительностью
– 133 МГц одинарные, двойные/четырехтактовые частоты SPI
– Эквивалент 266/532 МГц Dual/Quad SPI
– Мин.100 000 циклов программного стирания на сектор
– Более 20 лет хранения данных
Низкая мощность, широкий диапазон температур
– Одиночный источник питания от 2,7 до 3,6 В
– <1 мкА при отключении питания (тип.)
– рабочий диапазон от -40°C до +85°C
– Рабочий диапазон от -40°C до +105°C
Гибкая архитектура с секторами по 4 КБ
– Равномерное стирание секторов/блоков (4K/32K/64K-Byte)
– Программа от 1 до 256 байт на программируемую страницу
- Стереть / приостановить и возобновить программу
Расширенные функции безопасности
– Программное и аппаратное обеспечение с защитой от записи
– Специальная защита OTP
– Верх/Низ, дополнительная защита массива
– Индивидуальная защита массива блоков/секторов
– 64-битный уникальный идентификатор для каждого устройства
– Регистр обнаруживаемых параметров (SFDP)
– Регистры безопасности 3X256 байт
– Энергонезависимые и энергонезависимые биты регистра состояния
Компактная упаковка
– 8-контактный SOIC 208-мил
– 8-контактный WSON 6x5 мм/8x6 мм
– 16-контактный SOIC 300-мил
— 8-колодка XSON 4x4 мм
– 24-шариковый TFBGA 8x6 мм (массив шариков 6x4)
– 24-шариковый TFBGA 8x6 мм (массив шариков 6x4/5x5)
– 12-мяч WLCSP
Спецификация:
Категория
|
Интегральные схемы (ИС)
|
объем памяти
|
|
производитель
|
Винбонд Электроникс
|
Ряд
|
СпайФлэш®
|
Упаковка
|
Трубка
|
Статус детали
|
Активный
|
Тип памяти
|
Энергонезависимый
|
Формат памяти
|
ВСПЫШКА
|
Технологии
|
ВСПЫШКА - НИ
|
Объем памяти
|
64 МБ (8 М x 8)
|
Интерфейс памяти
|
SPI — четырехъядерный ввод/вывод
|
Тактовая частота
|
133 МГц
|
Время цикла записи — Word, страница
|
3 мс
|
Время доступа
|
6 нс
|
Напряжение - питание
|
2,7 В ~ 3,6 В
|
Рабочая Температура
|
-40°C ~ 125°C (ТА)
|
Тип крепления
|
Поверхностное крепление
|
Пакет/кейс
|
Открытая площадка 8-WDFN
|
Пакет устройств поставщика
|
8-WSON (8x6)
|
Базовый номер продукта
|
W25Q64
|
О корпорации Winbond Electronics
Корпорация Winbond Electronics является ведущим мировым поставщиком решений для полупроводниковой памяти.Компания предоставляет ориентированные на клиента решения для памяти, подкрепленные экспертными возможностями проектирования продуктов, исследований и разработок, производства и продаж.Ассортимент продуктов Winbond, состоящий из Specialty DRAM, Mobile DRAM, Code Storage Flash и TrustME® Secure Flash, широко используется клиентами уровня 1 в сфере связи, бытовой электроники, автомобильной и промышленной промышленности, а также на рынках компьютерной периферии.
категории товаров
Интегральные схемы (ИС)
Оптоэлектроника
Кристаллы, Генераторы, Резонаторы
Изоляторы
RF/IF и RFID
Датчики, Преобразователи
Связанные номера деталей IC Для доступных:
IC-8 208 мил 64 Мбит
W25Q64JVSSIQ
25Q64JVSJQ
SOIC-16 300 мил 64 Мбит
W25Q64JVSFIQ
25Q64JVFJQ
WSON-8 6x5-мм
64 Мбит
W25Q64JVZPIQ
25Q64JVJQ
WSON-8 8x6 мм
W25Q64JVZEIQ
25Q64JVJQ
XSON-8 4x4 мм
64 Мбит
W25Q64JVXGIQ
Q64JVXGJQ
TFBGA-24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
W25Q64JVTBIQ
W25Q64JVTBJQ
25Q64JVBIQ
25Q64JVBJQ
TFBGA-24 8x6 мм (массив шариков 6x4) 64 Мбит
W25Q64JVTCIQ
W25Q64JVTCJQ
25Q64JVCIQ
25Q64JVCJQ
12-шариковый WLCSP 64M-bit
W25Q64JVBYIQ 6CJI
SOIC-8 208 мил 64 Мбит
W25Q64JVSSIN 25Q64JVSIN
WSON-8 6x5-мм 64M-бит
W25Q64JVZPIN 25Q64JVIN
SOIC-8 208 мил 64 Мбит W25Q64JVSSIM
W25Q64JVSSJM
25Q64JVSIM
25Q64JVSJM
SOIC-16 300 мил 64 Мбит W25Q64JVSFIM
W25Q64JVSFJM
25Q64JVFIM
25Q64JVFJM
WSON-8 6x5-мм
64 Мбит W25Q64JVZPIM
W25Q64JVZPJM
25Q64JVIM
25Q64JVJM
WSON-8 8x6 мм 64 Мбит
W25Q64JVZEIM
W25Q64JVZEJM
25Q64JVIM
25Q64JVJM
XSON-8 4x4 мм 64 Мбит
W25Q64JVXGIM
W25Q64JVXGJM
Q64JVXGIM
Q64JVXGJM
TFBGA-24 8x6 мм (массив шариков 5x5) 64 Мбит
W25Q64JVTBIM 25Q64JVBIM
Экологические и экспортные классификации
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
---|---|
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
ДОСТИЖЕНИЕ Статус | REACH Не затронуто |
ECCN | 3А991Б1А |
ХТСУС | 8542.32.0071 |