Отправить сообщение
Дом > продукты > ИС интегральных схем > Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6

Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6

Категория:
ИС интегральных схем
Цена:
Negotiated
Метод оплаты:
T/T, западное соединение
Спецификации
Описание:
IC FLASH 32 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ 48TSOP-M29DW323DT70N6E
Категория:
Электронные компонент-интегрированные цепи (IC)
Серия:
FLASH NOR Память Интегральные схемы IC
Детали:
NOR Memory IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Параллельный 70 нс 48-TSOP Flash ic
Устанавливать тип:
Поверхностная установка
Пакет:
ТСОП48
Низкопробный номер детали:
М29ДВ
Частота:
Переключение 200 кГц ~ 2,2 МГц
Работая температурная амплитуда температуры окружающей среды:
-40°C | 85°C (ЖИВОТИКИ)
Дополнительный:
Память IC поверхностный устанавливать ОТКАЛЫВАЕТ
Тип:
Параллельный интерфейс памяти
Замены:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Введение

Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6E

- Флэш-память поставки 3V M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 или 2Mb x16, двойного 8:24 банка, блока ботинка)

M29DW323D память 32 Mbit (4Mb x8 или 2Mb x16) слаболетучая которую можно прочитать, стереть и перепрограммировать. Эту деятельность можно выполнить используя одиночную поставку низшего напряжения (2,7 к 3.6V). На включении питания дефолты памяти к своему режиму считывания. Прибор отличает несимметричной архитектурой блока. M29DW323D имеет массив 8 63 основных блоков параметра и и разделено в 2 банка, a и b, предусматривая двойную деятельность банка. Пока программирующ или стирающ в банке a, прочитайте деятельность возможна в банке b и наоборот. Только один банк одновременно позволен находиться в программе или режиме стирания.

M29DW323D имеет дополнительные 32 KWord (режим x16) или блоку 64 кбайтов (режима x8), выдвинутому блоку, этому можно получать доступ к используя преданную команду. Выдвинутый блок можно защитить и поэтому полезен для хранить информация о безопасности.

Однако защиту необратима, раз защищала защиту нельзя расстегнуть

. Каждый блок можно стереть независимо поэтому возможно сохранить действительные данные пока старые данные стерты.

Блоки можно защитить для предотвращения случайных команд программы или стирания от дорабатывать память.

Команды программы и стирания написаны в интерфейс команды памяти.

Регулятор программы/стирания на-обломока упрощает процесс программирования или стирать памяти путем позаботиться обо все особые операции которые необходимо, что уточняют содержание памяти.

Конец деятельности программы или стирания можно обнаружить и все условия ошибки определили.

Набор команды необходим, что проконтролировал память последователен со стандартами JEDEC.

Обломок позволить, вывести наружу позволяет и пишет разрешающие сигналы контролировать деятельность автобуса памяти.

Они позволяют простому соединению с большинств микропроцессорами, часто без дополнительной логики.

Память предложена в (тангаж 6x8mm, 0.8mm) пакетах TSOP48 (12x20mm), и TFBGA48.

СВОДКА ОСОБЕННОСТЕЙ:

ПОДАЧА НАПРЯЖЕНИЯ
– VCC = 2.7V к 3.6V для программы, стирания и чтения
– VPP =12V для быстрой программы (опционной)


ВРЕМЯ ВЫБОРКИ „: 70ns


ВРЕМЯ „ ПРОГРАММИРУЯ
– 10µs в байт/слово типичные
– Программа байта двойного слова четырехшпиндельная


БЛОКИ ПАМЯТИ „
– Двойной массив группы блоков памяти: 8Mbit+24Mbit
– Параметр преграждает (верхнее или нижнее положение)


„ УДВАИВАЕТ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
– Прочитайте в одном банке пока программа или стирание в другом


„ СТИРАЕТ для того чтобы ПРИОСТАНАВЛИВАТЬ и ВОЗОБНОВИТЬ РЕЖИМЫ
– Чтение и программа другой блок во время стирания приостанавливает


„ ОТКРЫВАЕТ КОМАНДУ ПРОГРАММЫ ОБХОДА
– Более быстрое программирование продукции/серии


PIN „ VPP/WP для БЫСТРОЙ ПРОГРАММЫ и ЗАЩИТИТЬ от записи


РЕЖИМ БЛОКА UNPROTECTION „ ВРЕМЕННЫЙ


Код защиты ИНТЕРФЕЙСА 64 „ ОБЩИЕ ВНЕЗАПНЫЕ сдержанный


БЛОК ВЫДВИНУТОЙ ПАМЯТИ „
– Дополнительный блок используемый как блок безопасностью или хранить дополнительная информация


Положение боевой готовности ПОТРЕБЛЕНИЯ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ „ и автоматическое положение боевой готовности


ЦИКЛЫ „ 100 000 PROGRAM/ERASE в БЛОК


ПОДПИСЬ „ ЭЛЕКТРОННАЯ
– Код изготовителя: 0020h
– Верхний код прибора M29DW323DT: 225Eh
– Нижний код прибора M29DW323DB: 225Fh

Спецификация ПАРАЛЛЕЛИ 48TSOP-M29DW323DT70N6E ВСПЫШКИ 32MBIT IC:

Catetory Электронные блоки
SubCategory
Интегральные схемаы (ICs)
Серия
Память
Mfr
Микрон Технология Inc.
Пакет
Поднос
Состояние части
Устарелый
Тип памяти
Слаболетучий
Формат памяти
ВСПЫШКА
Технология
ВСПЫШКА - НИ
Размер запоминающего устройства
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Интерфейс памяти
Параллельный
Напишите время цикла - слово, страницу
70ns
Время выборки
70 ns
Напряжение тока - поставка
2.7V | 3.6V
Рабочая температура
-40°C | 85°C (ЖИВОТИКИ)
Устанавливать тип
Поверхностный держатель
Пакет/случай
48-TFSOP (0,724", ширина 18.40mm)
Пакет прибора поставщика
48-TSOP
Низкопробный номер продукта
M29DW323

Номера родственного продукта:

Часть Mfr # Технология Размер запоминающего устройства Пакет прибора
M29DW323DB70N6F TR ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70N6F TR ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB5AN6F TR ВСПЫШКА - НИ 256Mb (16M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N3E ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70ZE6E ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB70ZE6F TR ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB7AN6F TR ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70ZE6F TR ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70ZE6E ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70N6E ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6 ВСПЫШКА - НИ 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP

Упорядочение информации:


Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6

О технологии микрона

Микрон делает новаторские решения памяти и хранения которые помогают управлять сегодняшний большинств значительными и разрушительными прорывами технологии, как искусственный интеллект, интернет вещей, само-управляя автомобилями, персонализированное медицин-ровное космическое исследование. Путем pioneering быстрый и больше эффективных способов собрать, сохранить и управить данные, они помогают революционизировать и улучшить путь мир связывает, учит и выдвигается.

Категории продукта технологии микрона:

Интегральные схемаы (ICs)

Карты памяти, модули

Оптическая электроника

Изображение для ссылки:

Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6


Классификации экологических & экспорта

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Состояние RoHS ROHS3 уступчивое
Уровень чувствительности влаги (MSL) 3 (168 часов)
Состояние ДОСТИГАЕМОСТИ ДОСТИГНИТЕ без изменений
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071


Номер детали IC интегральных схема замен:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Мы продаем портфолио индустрии самое широкое памяти и технологий памяти: ДРАХМА, NAND, и НИ память ic. С близкими партнерствами индустрии и экспертизой решений памяти, наша уникальная проницательность дает нам способность обратиться к вашим самым трудным потребностям.

Родственная параллель НИ внезапный каталог деталей интегральной схемаы:

MT28EW128ABA1HJS-0SIT
MT28EW128ABA1HPC-0SIT
MT28EW128ABA1HPN-0SIT
MT28EW128ABA1LJS-0SIT
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
MT28EW128ABA1LPN-0SIT


Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6

Отправьте RFQ
Запас:
МОК:
1pieces