Полупроводники канала ГТ50Н322А 50Н322 ИГБТ н дискретные через держатель отверстия
Категория:
Дискретные полупроводники
Цена:
Negotiated
Метод оплаты:
T/T, западное соединение
Спецификации
Категория:
электронные блоки
Название продукта:
50N322 Toshiba IGBT N-Channel 1000V 3-Pin TO-3P(N) DISCRETE IGBT Компоненты
Семья:
ДИСКРЕТНЫЙ БТИЗ
Установка:
Через отверстие
Применение:
для индукционной плиты и так далее
Пакет:
ТО3П/ТП220-3
Связанный номер модели:
50Н322
Skype:
sunysuny999
Высокий свет:
50N322 IGBT N-канал
,GT50N322A IGBT N-канал
,IGBT N-канал Дискретные полупроводники
Введение
GT50N322A 50N322 Toshiba America Electronic Components IGBT N-Channel 1000V 3-Pin TO-3P(N) DISCRETE IGBT Компоненты
Технические характеристики продукта
| Номер части | ГТ50Н322А |
| Базовый номер детали | 50Н322 |
| ЕС RoHS | Соответствует освобождению |
| ECCN (США) | EAR99 |
| Статус детали | Активный |
| ХТС | 8541.29.00.95 |
| SVHC | да |
| SVHC превышает пороговое значение | да |
| Автомобильный | Нет |
| PPAP | Нет |
| Категория продукта | БТИЗ |
| Стандартное имя пакета | ТО3П |
| Пакет поставщиков | ТО220-3П |
| Монтаж | Через отверстие |
| Ведущая форма | Через отверстие |
Дополнительные МОП-транзисторы STMicroelectronics:
| СТБ41Н40ДМ6АГ |
| СТП8Н120К5 |
| STL64N4F7AG |
| СТБ24Н60М6 |
| СТБ35Н65ДМ2 |
| СТБ45Н30М5 |
| СТФ33Н60М6 |
| СТИ24Н60М6 |
| СТП24Н60М6 |
| СТП33Н60М6 |
| СТВ24Н60М6 |
| СТО33Н60М6 |
| СТВ70Н60ДМ6 |
| СТО36Н60М6 |
| SCTW35N65G2VAG |
| СТП46Н60М6 |
| СТВ75Н60ДМ6 |
| СТЛ26Н60ДМ6 |
| СТЛ13Н60М6 |
| СТЛ12Н60М6 |
| STW48N60M6 |
| SCTWA90N65G2V-4 |
| СТВА70Н65ДМ6 |
| STL210N |
Отправьте RFQ
Запас:
МОК:
10