IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

Категория:

Дискретные полупроводники

Цена:

Negotiated

Метод оплаты:

T/T, западное соединение

Спецификации

Описание:

Транзисторы MOSFET N-CH TO220AB

Семья:

Дискретные полупроводниковые продукты

Категория:

Электронные компоненты-MOSFET (оксид металла)

Серия:

HEXFET MOSFET (оксид металла)

Низкопробный номер детали:

ИРФБ4

Детали:

N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB

Тип:

Транзисторы - FET, MOSFET - Single

Пакет:

ТО220

Устанавливать тип:

Через отверстие

Высокий свет:

100V 130A FET HEXFET Power Mosfet

IRFB4310PBF

IRFB7440PBF

Введение

IRFB7440PBF 40 В 120 A IRFB4310PBF 100 В 130 A IRFB4115PBF 150 В 104 A Транзисторы TO-220AB HEXFET FET МОП-транзисторы

Транзисторы N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFET

---ИРФБ7440ПБФ 40В 120А ИРФБ4310ПБФ 100В 130А ИРФБ4115ПБФ 150В 104А

Описание:
В этом силовом МОП-транзисторе HEXFET® используются новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния.
Дополнительными характеристиками этого продукта являются рабочая температура перехода 175°C, высокая скорость переключения и повышенная устойчивость к повторяющимся лавинам.В совокупности эти функции делают эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях.

N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Спецификация:

Категория	Дискретные полупроводниковые продукты
	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
производитель	Инфинеон Технологии
Ряд	HEXFET®
Упаковка	Трубка
Тип полевого транзистора	N-канал
Технологии	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	180А (Тс)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3,7 мОм при 75 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id	4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	150 нКл при 10 В
VGS (макс.)	±20В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4340 пФ при 25 В
Полевой транзистор	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	200 Вт (Тс)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления	Через отверстие
Пакет устройств поставщика	ТО-220АБ
Пакет/кейс	ТО-220-3
Базовый номер продукта	IRF1404

Экологические и экспортные классификации

АТРИБУТ	ОПИСАНИЕ
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (неограниченно)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус	REACH Не затронуто
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095