Отправить сообщение
Дом > продукты > ИС интегральных схем > MOSFET IC силы BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

MOSFET IC силы BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

Категория:
ИС интегральных схем
Цена:
Negotiated
Метод оплаты:
T/T, западное соединение
Спецификации
Детали:
N-канальный 100 В 90 A (Tc) 114 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TDSON-8-1
Имя продуктов:
Интегральные схемаы (IC)
Категория:
электронные блоки
Семья IC:
Дискретные полупроводниковые приборы Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - од
Другое имя:
BSC070
Пакет:
ТДСОН8
Описание:
МОП-транзистор N-CH 100V 90A TDSON-8
Неэтилированное состояние:
RoHS уступчивое, PB свободный, неэтилированный
Высокий свет:

BSC070N10NS3GATMA1

,

MOSFET силы Infineon OptiMOS

,

BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

Введение

N-канал 100 v 90A 114W PG-TDSON-8 IC MOSFET силы OptiMOS 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon

Описание:

MOSFETs силы 100V OptiMOS™ Infineon предлагают главные решения для высокой эффективности, высокой плотности мощности SMPS.

Сравненный к следующей самой лучшей технологии эта семья достигает уменьшения 30% в обоих r DS (дальше) и FOM (сравнительном показателе качества).

Потенциальные применения:
Одновременное выпрямление для AC-DC SMPS
Управление мотора для систем 48V-80V (т.е. отечественные корабли, сил-инструменты, тележки)
Изолированные конвертеры DC-DC (системы телекоммуникаций и datacom
Переключатели и автоматы защити цепи колцеобразного уплотнения в системах 48V
Усилители класса d аудио
Uninterruptable электропитания (UPS)

Сводка особенностей:
Превосходное переключая представление
R DS мира самый низкий (дальше)
Очень низкое gd q g и q
Превосходный продукт обязанности x r DS ворот (дальше) (FOM)
Уступчив-галоид RoHS свободный
MSL1 расклассифицировало 2

Преимущества

Экологически дружелюбный
Увеличенная эффективность
Самая высокая плотность мощности
Меньше требуемого проходить параллельно
Самое небольшое потребление доск-космоса
продукты Легк-к-дизайна

Спецификации:

Категория
 
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Mfr
Технологии Infineon
Серия
OptiMOS™
Пакет
Лента & вьюрок (TR)
Состояние части
Активный
Тип FET
N-канал
Технология
MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)
100 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)
6V, 10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @
3.5V @ 75µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs
55 nC @ 10 v
Vgs (Макс)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
4000 pF @ 50 v
Особенность FET
-
Диссипация силы (Макс)
114W (Tc)
Рабочая температура
-55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип
Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика
PG-TDSON-8-1
Пакет/случай
8-PowerTDFN
Низкопробный номер продукта
BSC070
Parametrics BSC070N10NS3G
Ciss 3000 pF
Coss 520 pF
ID (@25°C) максимальный 90 a
IDpuls максимальное 360 a
Минута рабочей температуры максимальная -55 °C °C 150
Ptot максимальное 114 w
Пакет SuperSO8 5x6
Полярность N
QG (тип @10V) 42 nC
RDS (дальше) (@10V) максимальный mΩ 7
Rth 1,1 K/W
VDS максимальное 100 v
Минута VGS (th) максимальная 2,7 V 2 V 3,5 V

MOSFET IC силы BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

Отправьте RFQ
Запас:
МОК:
1pieces