Отправить сообщение
Дом > продукты > ИС микроконтроллера > GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10C

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10C

Категория:
ИС микроконтроллера
Цена:
Negotiated
Метод оплаты:
T/T, западное соединение
Спецификации
Серия:
GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер IC
Категория:
Электронные компонент-интегрированные цепи
Детали:
Датчик NAND GigaDevice SemiconductorMicrocontroller IC MCU НИ внезапной параллели внезапный
Семья:
ИС микроконтроллера (MCU)
Взаимодействие:
CANbus, ² c I, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals:
DMA, управление мотора PWM, PDR, POR, PVD, PWM, датчик Temp, WDT
Тип памяти программы:
ВСПЫШКА
Рабочая температура:
-40°C | 85°C (ЖИВОТИКИ)
Устанавливать тип:
Поверхностный держатель
Высокий свет:

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU

,

микроконтроллер MCU IC

,

GD25LD20CEIGR

Введение

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС Интегральные схемы GD25LD20CEIGR GD25LD10C

 

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер IC Интегральные схемы

 

3,0 В
◆ Одиночное напряжение питания
- Диапазон напряжения: 2,7 В ~ 3,6 В
◆ Высокая тактовая частота
- Максимум 200 МГц для быстрого чтения*
- Двойной ввод/вывод данных со скоростью до 332 Мбит/с
- Quad I/O Передача данных со скоростью до 664 Мбит/с
- DTR Quad I/O Передача данных до 1600 Мбит/с
- DTR Octal I/O Передача данных до 3200 Мбит/с
- Непрерывное чтение с переносом 8/16/32/64 байт
◆ Гибкая архитектура памяти
- Размер сектора: 4K байт
- Размер блока: 32/64К байт

 

1,8 В

◆ Одиночное напряжение питания
- Диапазон напряжения: 1,65 В ~ 2,0 В
◆ Высокая тактовая частота
- Максимум 200 МГц для быстрого чтения*
- Двойной ввод/вывод данных со скоростью до 332 Мбит/с
- Quad I/O Передача данных со скоростью до 664 Мбит/с
- Передача данных QPI до 664 Мбит/с
- DTR Quad I/O Передача данных до 1600 Мбит/с
- DTR Octal I/O Передача данных до 3200 Мбит/с
- Непрерывное чтение с переносом 8/16/32/64 байт
◆ Гибкая архитектура памяти
- Размер сектора: 4K байт
- Размер блока: 32/64К байт

 

1,65 В ~ 3,6 В

◆ Одиночное напряжение питания
- Диапазон напряжения: 1,65 В ~ 3,6 В
◆ Высокая тактовая частота
- Максимум 104 МГц для быстрого чтения*
- Двойной ввод/вывод данных со скоростью до 208 Мбит/с
- Quad I/O Передача данных со скоростью до 416 Мбит/с
- Непрерывное чтение с переносом 8/16/32/64 байт
◆ Гибкая архитектура памяти
- Размер сектора: 4K байт
- Размер блока: 32/64К байт

 

О GigaDevice

GigaDevice Semiconductor — ведущий мировой поставщик беспроводных систем, стремящийся создать полную экосистему с
три основные линейки продуктов — флэш-память, микроконтроллер и датчик — как основная движущая сила

GigaDevice может предоставить широкий спектр решений и услуг в области промышленной, автомобильной, компьютерной, бытовой электроники,

Интернет вещей, мобильные устройства, сети и коммуникации.

В настоящее время GigaDevice является поставщиком SPI NOR FLASH® № 1 в Китае и № 3 в мире с общим объемом отгрузок около 16 шт.
млрд с момента его создания.GigaDevice GD32 MCU является лидером на китайском рынке высокопроизводительных 32-разрядных микроконтроллеров общего назначения.

с более чем 500 миллионами отгруженных единиц и более 360 номеров деталей из 28 семейных серий для различных применений.

Кроме того, GigaDevice поставляет датчик контроллера сенсорного экрана и датчик отпечатков пальцев всемирно известным производителям мобильных устройств по всему миру.

В настоящее время это один из двух поставщиков оптических датчиков отпечатков пальцев в Китае с возможностью массового производства.

 

Список продуктов GD SPI NOR Flash:

Артикул Плотность Напряжение Организация Частота шины ввода/вывода (МГц) Упаковка
GD25LD05C 512 Кбит 1,65–2,0 В 4 Кбайт / 32 Кбайт / 64 Кбайт Одиночный / двойной выход 50 МГц (x1) 40 МГц (x2) SOP8 150 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LD10C 1 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной выход 50 МГц (x1) 40 МГц (x2) SOP8 150 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LQ20E 2 Мбит 1,65–2,1 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LE20E 2 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LD20C 2 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной выход 50 МГц (x1) 40 МГц (x2) SOP8 150 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LQ40E 4 Мбит 1,65–2,1 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LE40E 4 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LD40C 4 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной выход 50 МГц (x1) 40 МГц (x2) SOP8 150 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LH40C 4 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 104 МГц (x1, x2, x4) USON8 3x2 мм
GD25LE80E 8 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) USON8 3x2 мм WLCSP (матрица из 4-4 шариков)
GD25LF80E 8 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 166 МГц (x1, x2, x4) 104 МГц (DTR) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм
GD25LH80E 8 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) VSOP8 150 мил USON8 3x2 мм
GD25LQ80E 8 Мбит 1,65–2,1 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм
GD25LD80C 8 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной выход 50 МГц (x1) 40 МГц (x2) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25LB16E 16 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм WSON8 6x5 мм
GD25LE16E 16 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) USON8 3x2 мм WLCSP (массив из 3-2-3 шариков)
GD25LF16E 16 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 166 МГц (x1, x2, x4) 104 МГц (DTR) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм
GD25LH16E 16 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм WSON8 6x5 мм
GD25LQ16E 16 Мбит 1,65–2,1 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм WSON8 6x5 мм WLCSP (массив из 3-2-3 шариков)
GD25LB32E 32 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм
GD25LE32E 32 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WLCSP (матрица из 4-4 шариков)
GD25LF32E 32 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 166 МГц (x1, x2, x4) 104 МГц (DTR) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм
GD25LH32E 32 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм
GD25LQ32E 32 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм WLCSP (массив из 4-4 шариков)
GD25LB64E 64 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил VSOP8 208 мил USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм
GD25LE64E 64 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм WLCSP (массив из 4-4 шариков)
GD25LF64E 64 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 166 МГц (x1, x2, x4) 104 МГц (DTR) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм
GD25LQ64E 64 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил VSOP8 208 мил USON8 3x4 мм USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм WLCSP (массив из 4-4 шариков)
GD25LR64E 64 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 104 МГц (x1, x2, x4) SOP8 208 мил WSON8 6x5 мм
GD25LR128E 128 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 104 МГц (x1, x2, x4) SOP8 208 мил WSON8 6x5 мм WSON8 8x6 мм
GD25LE128E 128 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 208 мил USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (5x5 шариков) WLCSP (4-4 шарика)
GD25LB128E 128 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 208 мил SOP16 300 мил USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (5x5 шариков)
GD25LF128E 128 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 166 МГц (x1, x2, x4) 104 МГц (DTR) SOP8 208 мил USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм TFBGA24 8x6 мм (массив 5x5 шариков)
GD25LQ128E 128 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 208 мил VSOP8 208 мил SOP16 300 мил USON8 4x4 мм WSON8 6x5 мм WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x4 шариковый WSON8-4LCSP (5x4 шариковый массив) множество)
GD25LE255E 256 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) WSON8 6x5 мм WLCSP (матрица из 4-4 шариков)
GD25LF255E 256 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 166 МГц (x1, x2, x4) 104 МГц (DTR) WSON8 6x5 мм WLCSP (матрица из 4-4 шариков)
GD25LQ255E 256 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP16 300 мил WSON8 6x5 мм WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (массив 5x5 шариков) WLCSP (массив 4-4 шариков)
GD25LB256E 256 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 104 МГц (DTR) SOP16 300 мил WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (массив 5x5 шариков) WLCSP (массив 4-4 шариков) WLCSP (3-2- массив из 3-х шаров)
GD25LR256E 256 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 104 МГц (x1, x4) 60 МГц (DTR) SOP16 300 мил WSON8 6x5 мм WSON8 8x6 мм
GD25LT256E 256 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 200 МГц (DTR) SOP16 300 мил WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD25LX256E 256 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одинарная / восьмеричная 166 МГц (x1, x8) 200 МГц (DTR) SOP16 300 мил TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5) WLCSP (массив шариков 4x6)
GD55LE511ME 512 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) WSON8 6x5 мм WSON8 8x6 мм
GD55LF511ME 512 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 166 МГц (x1, x2, x4) 104 МГц (DTR) WSON8 6x5 мм
GD25LB512ME 512 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 90 МГц (DTR) SOP16 300 мил WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5) WLCSP (массив шариков 3-2-3)
GD25LR512ME 512 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 104 МГц (x1, x4) 60 МГц (DTR) SOP16 300 мил WSON8 8x6 мм
GD25LT512ME 512 МБ 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 200 МГц (DTR) SOP16 300 мил WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD25LX512ME 512 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одинарная / восьмеричная 166 МГц (x1, x8) 200 МГц (DTR) SOP16 300 мил TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5) WLCSP (массив шариков 4x6)
GD55LT512WE 512 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 166 МГц (DTR) SOP16 300 мил TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD55LX512WE 512 Мбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / восьмеричный 166 МГц (x1, x8) 166 МГц (DTR) SOP16 300 мил TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD55LB01GE 1 Гбит 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 90 МГц (DTR) SOP16 300 мил WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD55LT01GE 1 Гб 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 200 МГц (DTR) SOP16 300 мил WSON8 8x6 мм TFBGA24 8x6 мм (массив 5x5 шариков)
GD55LX01GE 1 Гб 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одинарная / Восьмеричная 166 МГц (x1, x8) 200 МГц (DTR) SOP16 300 мил TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD55LB02GE 2 Гб 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 90 МГц (DTR) TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD55LT02GE 2 Гб 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / четырехъядерный 166 МГц (x1, x4) 200 МГц (DTR) TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD55LX02GE 2 Гб 1,65–2,0 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одинарная / восьмеричная 166 МГц (x1, x8) 200 МГц (DTR) TFBGA24 8x6 мм (массив шариков 5x5)
GD25D05C 512 Кбит 2,7–3,6 В 4 Кбайт / 32 Кбайт / 64 Кбайт Одиночный / двойной выход 100 МГц (x1) 80 МГц (x2) SOP8 150 мил TSSOP8 173 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25D10C 1 Мбит 2,7–3,6 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной выход 100 МГц (x1) 80 МГц (x2) SOP8 150 мил TSSOP8 173 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25Q20E 2 Мбит 2,7–3,6 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм
GD25D20C 2 Мбит 2,7–3,6 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной выход 100 МГц (x1) 80 МГц (x2) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25Q40E 4 Мбит 2,7–3,6 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25D40C 4 Мбит 2,7–3,6 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной выход 100 МГц (x1) 80 МГц (x2) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 1,5x1,5 мм USON8 3x2 мм
GD25Q80E 8 Мбит 2,7–3,6 В 4 КБ / 32 КБ / 64 КБ Одиночный / двойной / четырехъядерный 133 МГц (x1, x2, x4) SOP8 150 мил SOP8 208 мил USON8 3x2 мм USON8 3x4 мм

 

 

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10C

 

О семействе продуктов GigaDevice GD32 MCU IC

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10C

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10CGigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10C

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10CGigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10C

GigaDevice GD SPI NOR Flash MCU Микроконтроллер ИС GD25LD20CEIGR GD25LD10C

Экологические и экспортные классификации

 

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
СОСТОЯНИЕ ROHS СООТВЕТСТВИЕ ROHS3
УРОВЕНЬ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ К ВЛАЖНОСТИ (MSL) 3 (168 ЧАСОВ)
СТАТУС ДОСТИЖЕНИЯ ДОСТИГНУТЬ БЕЗОПАСНО
ECCN 3А991А2
ХТСУС 8542.31.0001

 

 

 

Отправьте RFQ
Запас:
МОК:
1pieces