IRF1404 IRF1404PBF N-канальный силовой МОП-транзистор 40 В Дискретные полупроводники
IRF1404PBF N Channel Power MOSFET
,IRF1404 N Channel Power MOSFET
,MOSFET 40V Discrete Semiconductors
IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF Одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор 40 В в корпусе TO-220
О IRF1404PBF:
Обзор функций
IRF1404 40-вольтовый одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор в корпусе TO-220
Плоскоячеистая структура для широкой SOA
Оптимизирован для максимальной доступности от партнеров-дистрибьюторов
Квалификация продукта в соответствии со стандартом JEDEC
Стандартный блок питания для поверхностного монтажа
Сильноточный рейтинг
Преимущества :
Повышенная прочность
Совместимость с несколькими поставщиками
Квалификационный уровень отраслевого стандарта
Стандартная распиновка позволяет произвести замену
Способность выдерживать высокие токи
Технические характеристики продукта
| Параметрика | IRF1404 |
| ID (при 25°C) макс. | 202 А |
| Монтаж | ТНТ |
| Макс. Pобщ. | 200 Вт |
| Упаковка | ТО-220 |
| Полярность | Н |
| QG (тип. при 10 В) | 131 нКл |
| Qгд | 42 нКл |
| RDS (вкл.) (при 10 В) макс. | 4 мОм |
| RthJC макс. | 0,75 К/Вт |
| Особые возможности | Широкая SOA |
| Тj макс. | 175°С |
| VDS макс. | 40 В |
| ВГС(й) мин макс | 3 В 2 В 4 В |
| ВГС макс. | 20 В |
IRF1404Z
Одиночный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 40 В в корпусе TO-220
Обзор функций
Оптимизирован для максимальной доступности от партнеров-дистрибьюторов
Квалификация продукта в соответствии со стандартом JEDEC
Стандартный силовой блок для сквозных отверстий
Пакет для работы с большими токами
Преимущества
Совместимость с несколькими поставщиками
Квалификационный уровень отраслевого стандарта
Стандартная распиновка позволяет произвести замену
Повышенная пропускная способность по току
| Параметрика | IRF1404Z |
| ID (при 25°C) макс. | 180 А |
| Монтаж | ТНТ |
| Макс. Pобщ. | 220 Вт |
| Упаковка | ТО-220 |
| Полярность | Н |
| QG (тип. при 10 В) | 100 нКл |
| Qгд | 42 нКл |
| RDS (вкл.) (при 10 В) макс. | 3,7 мОм |
| RthJC макс. | 0,65 К/Вт |
| Тj макс. | 175°С |
| VDS макс. | 40 В |
| ВГС(й) мин макс | 3 В 2 В 4 В |
| ВГС макс. | 20 В |
Номер детали для General Semiconductor:
| Номер части | МФГ | Тип упаковки |
| JW1060 | Джувелл | СОП8-Е |
| SL1053 | СИЛАН | СОП8 |
| ST8550D | СТ | ТО-92 |
| СС8050ДБУ | СТ | ТО-92 |
| ПК847 | ФЭЙРЧАЙЛД | ДИП-16 |
| ПК817А | ФЭЙРЧАЙЛД | ДИП-4 |
| ПК123Ф | ОСТРЫЙ | ДИП-4 |
| OB2353 | OB | СОП-8 |
| NE555P | СТ | ДИП-8 |
| MC34063 | НА | СОП-8 |
| LM7806 | СТ | ТО-220 |
| LM78051A | СТ | СОП |
| ЛМ358 | СТ | СОП-8 |
| ЛМ339 | СТ | СОП |
| ЛМ324 | СТ | СО-14(СМД) |
| LM2575T | СТ | ТО-220 |
| ЛМ 7815 | СТ | ТО-220 |
| LL4148-GS08 | СТ | ЛЛ34 |
| L7812CV | СТ | ТО-220 |
| КА78М09 | ФЭЙРЧАЙЛД | ТО－252 |
| ИРФЗ44В2А | ИК | ТО-220 |
| IRFP460 | ИК | ТО-247 |
| IRF840 | ИК | ТО-220 |
| HEF4013 | ФИЛИПС | СОП-14 |
| FQPF12N60C | ФЭЙРЧАЙЛД | ТО-220Ф |
| DTC143ZUAT106 | РОМ | СОТ-323 |
| DINS4 | ШИНДЕНГЕН | ДИП-2 |
| ИРФР9024Н | ИК | ТО-252Н |
| БАВ99 | Philip | СОТ-23 |
| BA033ST | РОМ | SOT252 |
| AM5888SL/Ф | АМТЕЛ | ХСОП-28 |
| 93LC66B | МИКРОЧИП | ДИП-8 |
| 93LC46 | МИКРОЧИП | ДИП-8 |
| 93C46B | МИКРОЧИП | СОП-8 |
| 78L05 | СТ | ТО-92 |
| 78L05 | СТ | SOT89 |
| 74HC4066D | Philip | поверхностный слой |
| 74HC4066 | ФИЛИПС | СО-14 |
| 74HC164 | Philip | СОП |
| 24LC128 | МИКРОЧИП | ДИП-8 |
| 24LC08B | МИКРОЧИП | ДИП-8 |
| 1Н5822-Б | диоды вкл. | ДО-201АД |
| MC1413DR2G | ПО Полупроводник | СОП-16 |
| HEF4069 | Philip | СО-14 (МОТОРОЛА) |