F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
производитель:
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Описание:
Микросхема памяти ESMT DRAM DDR SDRAM M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5 В 4K 166/200/250 МГц
Категория:
ИС интегральных схем
В-запас:
В наличии
Цена:
US$0.80
Метод оплаты:
Т/Т
Способ перевозки:
выражать
Спецификации
Функции:
F59L4G81KSA (2N), 4 Гбит (512M x 8), 3,3 В, ИС флэш-памяти NAND
Название продукта:
F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
Категория:
Интегральные схемы (ИС)-F59L4G81KSA
Пакет/кейс:
ЦОП/БГА
Рабочая температура:
-40°C ~ 85°C (ТА)
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Производитель:
ESMT
Базовый номер продукта:
F59L4G81KSA
Введение
F59L4G81KSA (2N) 4 Gbit (512M x 8) 3,3 V NAND Flash Memory IC
- F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
Операционная температура Условия -40°C ~ 85°C
Общее описание
Устройство представляет собой 4 ГБ SLC NAND Flash-память, которая складывается из двух 2 ГБ чипов для некоторых специальных операций и приложений.Устройство имеет два 2176-байтовых статических регистра, которые позволяют передавать данные программы и чтения между регистром и массивом ячеек памяти с увеличением на 2176 байтовОперация Erase реализуется в одной блочной единице (128 Кбайт + 8 Кбайт).Устройство представляет собой устройство памяти, которое использует пины ввода/вывода для ввода/вывода адресов и данных, а также командных вводовОперации сглаживания и программирования выполняются автоматически, что делает устройство наиболее подходящим для таких приложений, как хранилище файлов твердого состояния, запись голоса,память файлов изображений для стационарных камер и других систем, требующих высокой плотности хранилища данных нелетающей памяти.
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) является профессиональной компанией по проектированию микропроводников, основанной в июне 1998 года в Тайваньском научно-промышленном парке Хсинчу.Основной бизнес компании включает в себя собственный бренд IC дизайн продукцииВ марте 2002 года компания ESMT была успешно размещена на Тайваньской фондовой бирже под кодом 3006.
Информация о заказе:
| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S64164A(2C) | 4 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 4K | 166/200/250 МГц | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S128168A (2S) | 8 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 4K | 160/200/250 МГц | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S2561616A ((2T) | 16 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 7.8с | 166/200/250 МГц | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S5121632A ((2T) | 32 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 7.8с | 166/200 МГц | 66 пин TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D128168A (2Y) | 8 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 4K | 400/533/600/667 МГц | 84 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D2561616A ((2S) | 16 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 8K | 400/533/667 МГц | 84 Мяч BGA |
| M14D2561616A ((2C) | 16 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 8K | 400/533/667 МГц | 84 шары BGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D5121632A ((2S) | 32 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | - | 400/533/600/667 МГц | 84 Мяч BGA |
| M14D5121632A (2M) | 32 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 8K | 400/533/667 МГц | 84 Мяч BGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D1G1664A (2P) | 64 Мбx16 | DDRII SDRAM 1,8 В | 8K | 400/533/600/667 МГц | 84 Мяч BGA |
| M14D1G8128A (2P) | 128 Мбx8 | DDRII SDRAM 1,8 В | 8K | 400/533/600/667 МГц | 60 шаров BGA |
| DDR3 ((L) SDRAM | |||||
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T5121632A | 32 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933 МГц | 96 шарик BGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T1G1664A (2S) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A(2S) | 128 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1,5 В | - | 933/1066/1200 МГц | 96 BAll BGA |
| 2 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T2G8256A(2R) | 256 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T2G16128A(2R) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G16128A ((2P) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T4G16256A (2S) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G16256A ((2C) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G8512A(2S) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T4G8512A ((2C) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| 8 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T8G16512A(2S) | 512Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| DDR4 SDRAM | |||||
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M16U4G16256A ((2Z) | 256 Мбx16 | DDR4 1,2 В | - | 1333/ 1600 МГц | 96 шарик BGA |
| M16U4G8512A(2Z) | 512Mbx8 | DDR4 1,2 В | - | 1333/ 1600 МГц | 78 шарик BGA |
| LPSDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D64322A (2S) | 2 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 4K | 166 МГц | 54 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D2561616A ((2F) | 16 Мбx16 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166/200 МГц | 54 Мяч FBGA |
| M52D256328A(2F) | 8 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 4K | 143/166 МГц | 90 шаров FBGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D5123216A | 16 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166 МГц | 90 шаров BGA |
| M52D5121632A | 32 Мбx16 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166/200 МГц | 54 Мяч FBGA |
| LPDDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D64164A (2C) | 4 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 4K | 200/220 МГц | 60 шаров BGA |
| M13D64322A (2S) | 2 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 4K | 200/222/250 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D2561616A (2F) | 16 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D256328A (2F) | 8 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D5121632A | 32 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D5123216A | 16 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D1G1664A | 64 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D1G3232A | 32 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| LPDDR2 SDRAM | |||||
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M54D5121632A | 32 Мбx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 400/ 533 МГц | 134 Мяч BGA |
| M54D5123216A | 16 Мбx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 400/ 533 МГц | 134 Мяч BGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M54D1G1664A | 64 Мбx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 333/400/533 МГц | 134 BGA |
| M54D1G1664A (2G) | 64 Мбx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 400/533 МГц | 134 BGA |
| M54D1G3232A (2G) | 32 Мбx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 400/533 МГц | 134 BGA |
| M54D1G3232A | 32 Мбx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 333/400/533 МГц | 134 BGA |
| 2 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M54D2G3264A | 64 Мбx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 333/400/533 МГц | 134 Мяч BGA |
| M54D2G16128A | 128 Мбx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 333/400/533 МГц | 134 Мяч BGA |
| LPDDR3 SDRAM | |||||
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M55D1G3232A(2Y) | 32 Мбx32 | LPDDR3 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 800/933/1066 МГц | 178 Мяч BGA |
| M55D1G1664A (2Y) | 64 Мбx16 | LPDDR3 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 800/933/1066 МГц | 178 Мяч BGA |
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M55D4G16256A ((2R) | 256 Мбx16 | LPDDR3 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 800/933/1066 МГц | 178 Мяч BGA |
| M55D4G32128A ((2R) | 128 Мбx32 | LPDDR3 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 800/933/1066 МГц | 178 Мяч BGA |
| LPDDR4x SDRAM | |||||
| 2 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M56Z2G16128A (2R) | 128 Мбx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 МГц | 200 шаров BGA |
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M56Z4G16256A ((2H) | 256 Мбx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 МГц | 200 шаров BGA |
| M56Z4G32128A (2R) | 128 Мбx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 МГц | 200 шаров BGA |
| 8 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M56Z8G32256A | 256 Мбx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866 МГц | 200 шаров BGA |
| M56Z8G32256A (2H) | 256 Мбx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 2133 МГц | 200 шаров BGA |
Родственные продукты
FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A)
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200MHz 153BGA eMCC Memory ICs FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 or 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R)
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A) |
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200MHz 153BGA eMCC Memory ICs FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
|
|
|
|
FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP |
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 or 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R)
|
Отправьте RFQ
Запас:
In Stock
МОК:
100pieces