logo
Отправить сообщение
Дом > продукты > Диоды Транзисторы

Диоды Транзисторы

ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасзапрос предложений
Пин СДИП СМД диода 1КВ 1.5А 4 выпрямителя тока по мосту одиночной фазы ДФ10С2 ДФ10С

Пин СДИП СМД диода 1КВ 1.5А 4 выпрямителя тока по мосту одиночной фазы ДФ10С2 ДФ10С

В наличии
диод выпрямителя тока 3.0А 40В барьера Шоттки держателя поверхности 1Н5822 СС34

диод выпрямителя тока 3.0А 40В барьера Шоттки держателя поверхности 1Н5822 СС34

В наличии
TDA7297 TDA7294V Усилитель звука IC AMP AB MONO 100W 15 Мультиватт

TDA7297 TDA7294V Усилитель звука IC AMP AB MONO 100W 15 Мультиватт

В наличии
60V 10.8A транзисторы диодов FETS DMT6009LSS-13 определяют канал n MOSFET

60V 10.8A транзисторы диодов FETS DMT6009LSS-13 определяют канал n MOSFET

В наличии
GP BJT NPN 60V 50mA Диоды Транзисторы CMPT2484 Центральный полупроводник

GP BJT NPN 60V 50mA Диоды Транзисторы CMPT2484 Центральный полупроводник

В наличии
Диод Шоттки силы транзисторов 30В 5А стабилитронов СМК Б530К

Диод Шоттки силы транзисторов 30В 5А стабилитронов СМК Б530К

В наличии
1SMB5918B Стабилитрон 5,1 В DO-214AA SMB Дискретный полупроводник

1SMB5918B Стабилитрон 5,1 В DO-214AA SMB Дискретный полупроводник

В наличии
Выпрямитель по мостиковой схеме IC MOSFET транзисторов диодов выпрямителя тока барьера SS36 SMB Schottky

Выпрямитель по мостиковой схеме IC MOSFET транзисторов диодов выпрямителя тока барьера SS36 SMB Schottky

В наличии
Мосфет 60В 380мА сигнала канала н транзисторов диодов 2Н7002К 2В7002К

Мосфет 60В 380мА сигнала канала н транзисторов диодов 2Н7002К 2В7002К

В наличии
IRFB4110PBF IRFB4310ZPBF IRFB4115PBF IRFB4115PBFXKMA1

IRFB4110PBF IRFB4310ZPBF IRFB4115PBF IRFB4115PBFXKMA1

IRFB МОП-транзистор N-CH 1 МОП-транзистор
Техасские инструменты
В наличии
C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1,7 кВ 5A 3-контактный (3 + вывод) TO-247

C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1,7 кВ 5A 3-контактный (3 + вывод) TO-247

C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1,7 кВ 5A 3-контактный (3 + вывод) TO-247
Техасские инструменты
В наличии
К50МЧ3 IGBT 1200В 100А ТО247-3-46 IKQ50N120CH3 IKQ50N120CH3XKSA1

К50МЧ3 IGBT 1200В 100А ТО247-3-46 IKQ50N120CH3 IKQ50N120CH3XKSA1

К50МЧ3 БТИЗ 1200В 100А ТО247-3-46
Infineon Technologies
В наличии
GWA80H65DFB STGWA80H65DFBAG ST Высокоскоростной HB серии IGBT

GWA80H65DFB STGWA80H65DFBAG ST Высокоскоростной HB серии IGBT

IGBT автомобильного класса, траншейные ворота, 650 В, 80 А, высокоскоростная серия HB, IGBT GWA80H65
STMикроэлектроника
В наличии
ФГА40Н120АНТ БТИЗ 40Н120

ФГА40Н120АНТ БТИЗ 40Н120

40N120 Электромагнитная плита Модуль питания IGBT FGA40N120ANTD
Infineon Technologies
В наличии
D2SBA60-7000 D2SBA60 Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd.

D2SBA60-7000 D2SBA60 Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd.

D2SBA60 Shindengen Single 600V 1,5A 4-контактный диодный мост D2SBA60-7000
Хенивелл
в наличии
MJE182 ПОВЕТНЫЙ ТРАНЗИСТОР Биполярный (BJT) Однотранзисторный NPN 80V TO-225 MJE182G

MJE182 ПОВЕТНЫЙ ТРАНЗИСТОР Биполярный (BJT) Однотранзисторный NPN 80V TO-225 MJE182G

Биполярный (BJT) однотранзисторный NPN 80В 3А 1.5Вт TO-225 выводной MJE182G
на полу
В наличии
Электронные блоки полупроводника MOSFET Тошиба SSM3K36MFV

Электронные блоки полупроводника MOSFET Тошиба SSM3K36MFV

В наличии
Плоскостное кремния диодов переключения 1SS226 эпитаксиальное для ультра высокоскоростного переключения

Плоскостное кремния диодов переключения 1SS226 эпитаксиальное для ультра высокоскоростного переключения

В наличии
Транзисторы цифров BJT NPN 50V 100mA 200mW полупроводника DTC123YUA ROHM

Транзисторы цифров BJT NPN 50V 100mA 200mW полупроводника DTC123YUA ROHM

В наличии
Диод сигнала переключения LL34 1N4148 силы диода выпрямителя тока FDLL4148 небольшой

Диод сигнала переключения LL34 1N4148 силы диода выпрямителя тока FDLL4148 небольшой

В наличии
Транзисторы диодов STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V

Транзисторы диодов STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V

В наличии
1