UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G UFS IC чипы
УФС
Будучи чипом встроенной памяти следующего поколения, чип BIWIN UFS в три раза быстрее, чем последний стандарт eMMC 5.1.Ускоренная производительность может эффективно обеспечить безопасную передачу данных без ненужного задержки, вызванной операциями чтения и записи., что является ключом к более высокой скорости, достигнутой в UFS 2.1В дополнение к своим огромным преимуществам в скорости передачи, BIWIN UFS 2.1 также имеет отличные характеристики потребления энергии.
Применение:
Ноутбук / смартфон
![]()
Спецификация:
| Интерфейс | УФС 2. 1 / УФС 2. 1 / УФС 3.1 |
| Размеры | 110,50 × 13,00 мм |
| Максимальное последовательное чтение | УФС 2.1: 500 МБ/с |
| УФС 2.1: 500 МБ/с | |
| УФС 3.1: 1200 МБ/с | |
| Макс. Последовательная запись | УФС 2.1: 856 МБ/с |
| УФС 2.1: 856 МБ/с | |
| УФС 3.1: 300 МБ/с | |
| Частота | / |
| Мощность | УФС 2.1: 128 ГБ - 256 ГБ |
| УФС 2.1: 128 ГБ - 256 ГБ | |
| УФС 3.1: 128 Гб - 512 Гб | |
| Рабочее напряжение | УФС 2.1: VCC=3,3 V, VCCQ=1,8 V |
| УФС 2.1: VCC=3,3 V, VCCQ=1,8 V | |
| УФС 3.1: VCC=3,3 V, VCCQ=1,2 V / 1,8 V | |
| Рабочая температура | -20°C - 85°C |
| Утвержденные платформы проверки | УФС 2.1835-845... |
| УФС 2.1835-845... | |
| УФС 3.1Квальком, Медиатек... | |
| Опаковка | FBGA153 |
| Применение | Ноутбук / смартфон |
Наиболее связанные флэш-памяти IC:
| BWCMAQB11T08GI |
| BWCMAQB11T16GI |
| BWEFMI032GN2RJ |
| BWEFMI064GN223 |
| BWEFMI128GN223 |
| BWEFMA064GN1KC |
| BWEFMA128GN1KC |
| BWMZAX32H2A-16GI-X |
| BWMZCX32H2A-32GI-X |
| BWMEIX32H2A-48GI-X |
| BWMZCX32H2A-64GI-X |
| BWLGYA002GN6ZA |
| BWLGYA004GN6ZC |
| BWLGYA006GN6EI |
| BWLGYA008GN6ZC |
BWET08U -XXG SPI (серийный периферийный интерфейс) NAND Flash IC для сетей Smart Wear
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC для смартфона
DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC для автомобиля/смартфона/игр
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC для автомобиля / ноутбука
BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X Микросхемы для умных часов, AR/VR
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
BWET08U -XXG SPI (серийный периферийный интерфейс) NAND Flash IC для сетей Smart Wear |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
|
|
|
|
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC для смартфона |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
|
|
|
|
DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC для автомобиля/смартфона/игр |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
|
|
|
|
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC для автомобиля / ноутбука |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
|
|
|
|
BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X Микросхемы для умных часов, AR/VR |
BIWIN ePOP Chips combines MMC and Mobile LPDDR in a single package with different capacities
|
|
|
|
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
|

