BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC для смартфона
производитель:
БИВИН
Описание:
LPDDR (расшифровывается как Low Power Double Data Speed) SDRAM — это разновидность DDR, которая в ос
Категория:
ИС датчика поворотного положения
В-запас:
в наличии
Цена:
Negotiated
Метод оплаты:
Т/Т, Вестерн Юнион
Способ перевозки:
Выражать
Спецификации
Категория:
Электронные компоненты-Память
Семья:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC
Приложение:
В автомобиле/смартфоне/играх
Рабочая температура:
-20℃ -85℃
Выбор номера детали:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC
Характеристики продукта Интерфейс:
LPDDR (расшифровывается как Low Power Double Data Speed) SDRAM — это разновидность DDR, которая в ос
Размеры:
PDDR 2: 12,00 × 12,00 мм LPDDR 3: 11,50 × 11,00 мм LPDDR 4: 11,00 × 14,50 мм LPDDR 4x: 11,50 × 13,00
Рабочее напряжение:
LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1,8 В, VDD2=1,2 В, VDDCA=1,2 В, VDDQ=1,2 В LPDDR 4: VDD1=1,8 В, VDD2=1,1 В,
Емкость:
LPDDR 2: 2–8 ГБ LPDDR 3: 4–16 ГБ LPDDR 4/LPDDR 4x: 4–48 ГБ LPDDR 5/LPDDR 5x: 16–64 ГБ
Введение
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC для смартфона
LPDDR (сокращение от Low Power Double Data Rate) SDRAM - это вид DDR, который характеризуется в основном низким потреблением энергии.
BIWIN Low Power DDR предлагает высокопроизводительное и экономически эффективное решение для оперативной памяти. LPDDR4 последнего поколения демонстрирует увеличение производительности на 50% по сравнению с LPDDR3.Эффективное потребление энергии LPDDR4 и более высокая частота делают его любимым выбором для современных электронных устройств.
Спецификация:
| Интерфейс | LPDDR 2 |
| LPDDR 3 | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x | |
| Мощность | LPDDR 2: 2 Гб - 8 Гб |
| LPDDR 3: 4 Гб - 16 Гб | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 Гб - 48 Гб | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 Гб - 64 Гб | |
| Частота | LPDDR 2: 533 МГц |
| LPDDR 3: 933 МГц | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 1866 МГц | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 3200 МГц | |
| Рабочее напряжение | LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1,8 В, VDD2=1,2 В, VDDCA=1,2 В, VDDQ=1,2 В |
| LPDDR 4: VDD1=1,8 В, VDD2=1,1 В, VDDQ=1,1 В, LPDDR 4x: VDDQ=0,6 В | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: VDD1=1.70-1.95 V, 1.8 V NOM, VDD2H=1.01-1.12 V, 1.05 V NOM, VDD2L=VDD2H или 0.87-0.97 V | |
| Утвержденные платформы проверки | Пространство: 7731E, 9832E, 9820E, SC9850K... |
| 8909... | |
| Меттек: МТ6580, МТ6735, МТ6737... | |
| Хи-Силикон: Хи-3798МВ310... | |
| Все победители: B288, A50, B300... | |
| Рокчип: RK3128, RK3228, RK3229... | |
| С905Х, С905Ю2... | |
| MSO9385... | |
| Рабочая температура | -20°C - 85°C |
| Размеры | LPDDR 2: 12,00 × 12,00 мм |
| LPDDR 3: 11,50 × 11,00 мм | |
| LPDDR 4: 11,00 × 14,50 мм | |
| LPDDR 4x: 11,50 × 13,00 мм | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 12,40 × 15,00 мм | |
| Опаковка | FBGA168 / FBGA178 / FBGA200 / FBGA315 |
| Применение | Умный телефон |
Родственные продукты
BWET08U -XXG SPI (серийный периферийный интерфейс) NAND Flash IC для сетей Smart Wear
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC для автомобиля/смартфона/игр
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC для автомобиля / ноутбука
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X Микросхемы для умных часов, AR/VR
BIWIN ePOP Chips combines MMC and Mobile LPDDR in a single package with different capacities
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
BWET08U -XXG SPI (серийный периферийный интерфейс) NAND Flash IC для сетей Smart Wear |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
|
|
|
|
DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC для автомобиля/смартфона/игр |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
|
|
|
|
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC для автомобиля / ноутбука |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
|
|
|
|
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
|
|
|
|
BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X Микросхемы для умных часов, AR/VR |
BIWIN ePOP Chips combines MMC and Mobile LPDDR in a single package with different capacities
|
|
|
|
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
|
Отправьте RFQ
Запас:
In Stock
МОК:
100pieces