M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Память IC
производитель:
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Описание:
Микросхема памяти ESMT DRAM DDR SDRAM M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5 В 4K 166/200/250 МГц
Категория:
ИС микроконтроллера
В-запас:
в наличии
Цена:
US$0.80
Метод оплаты:
Т/Т
Способ перевозки:
Выражать
Спецификации
Название продукта:
M13S64164A(2C) ИС памяти ESMT SDRAM DDR
Категория:
Интегральные схемы (ИС)-M12L2561616A (2T) Микросхемы памяти SDRAM M12L2561616A-6TG2T
Пакет / корпус:
ЦСОП/БГА
Рабочая температура:
-40 ° C ~ 85 ° C (TA)
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Млн:
ESMT
Базовый номер продукта:
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C)
Функции:
M13S64164A(2C) ИС памяти ESMT ddR SDRAM 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5 В 4K 166/200/250 МГц
Введение
M13S64164A(2C) ESMT ddR SDRAM Память IC 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz-M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A ((2C)
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) является профессиональной компанией по проектированию микропроводников, основанной в июне 1998 года в Тайваньском научно-промышленном парке Хсинчу.Основной бизнес компании включает в себя собственный бренд IC дизайн продукцииВ марте 2002 года компания ESMT была успешно размещена на Тайваньской фондовой бирже под кодом 3006.
Информация о заказе:
| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S64164A(2C) | 4 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 4K | 166/200/250 МГц | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S128168A (2S) | 8 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 4K | 160/200/250 МГц | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S2561616A ((2T) | 16 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 7.8с | 166/200/250 МГц | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S5121632A ((2T) | 32 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 7.8с | 166/200 МГц | 66 пин TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D128168A (2Y) | 8 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 4K | 400/533/600/667 МГц | 84 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D2561616A ((2S) | 16 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 8K | 400/533/667 МГц | 84 Мяч BGA |
| M14D2561616A ((2C) | 16 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 8K | 400/533/667 МГц | 84 шары BGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D5121632A ((2S) | 32 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | - | 400/533/600/667 МГц | 84 Мяч BGA |
| M14D5121632A (2M) | 32 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 8K | 400/533/667 МГц | 84 Мяч BGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D1G1664A (2P) | 64 Мбx16 | DDRII SDRAM 1,8 В | 8K | 400/533/600/667 МГц | 84 Мяч BGA |
| M14D1G8128A (2P) | 128 Мбx8 | DDRII SDRAM 1,8 В | 8K | 400/533/600/667 МГц | 60 шаров BGA |
| DDR3 ((L) SDRAM | |||||
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T5121632A | 32 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933 МГц | 96 шарик BGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T1G1664A (2S) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A(2S) | 128 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1,5 В | - | 933/1066/1200 МГц | 96 BAll BGA |
| 2 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T2G8256A(2R) | 256 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T2G16128A(2R) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G16128A ((2P) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T4G16256A (2S) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G16256A ((2C) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G8512A(2S) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T4G8512A ((2C) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| 8 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T8G16512A(2S) | 512Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| DDR4 SDRAM | |||||
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M16U4G16256A ((2Z) | 256 Мбx16 | DDR4 1,2 В | - | 1333/ 1600 МГц | 96 шарик BGA |
| M16U4G8512A(2Z) | 512Mbx8 | DDR4 1,2 В | - | 1333/ 1600 МГц | 78 шарик BGA |
| LPSDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D64322A (2S) | 2 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 4K | 166 МГц | 54 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D2561616A ((2F) | 16 Мбx16 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166/200 МГц | 54 Мяч FBGA |
| M52D256328A(2F) | 8 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 4K | 143/166 МГц | 90 шаров FBGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D5123216A | 16 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166 МГц | 90 шаров BGA |
| M52D5121632A | 32 Мбx16 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166/200 МГц | 54 Мяч FBGA |
| LPDDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D64164A (2C) | 4 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 4K | 200/220 МГц | 60 шаров BGA |
| M13D64322A (2S) | 2 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 4K | 200/222/250 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D2561616A (2F) | 16 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D256328A (2F) | 8 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D5121632A | 32 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D5123216A | 16 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D1G1664A | 64 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D1G3232A | 32 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| LPDDR2 SDRAM | |||||
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M54D5121632A | 32 Мбx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 400/ 533 МГц | 134 Мяч BGA |
| M54D5123216A | 16 Мбx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 400/ 533 МГц | 134 Мяч BGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M54D1G1664A | 64 Мбx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 333/400/533 МГц | 134 BGA |
| M54D1G1664A (2G) | 64 Мбx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 400/533 МГц | 134 BGA |
| M54D1G3232A (2G) | 32 Мбx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 400/533 МГц | 134 BGA |
| M54D1G3232A | 32 Мбx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 333/400/533 МГц | 134 BGA |
| 2 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M54D2G3264A | 64 Мбx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 333/400/533 МГц | 134 Мяч BGA |
| M54D2G16128A | 128 Мбx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 333/400/533 МГц | 134 Мяч BGA |
| LPDDR3 SDRAM | |||||
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M55D1G3232A(2Y) | 32 Мбx32 | LPDDR3 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 800/933/1066 МГц | 178 Мяч BGA |
| M55D1G1664A (2Y) | 64 Мбx16 | LPDDR3 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 800/933/1066 МГц | 178 Мяч BGA |
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M55D4G16256A ((2R) | 256 Мбx16 | LPDDR3 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 800/933/1066 МГц | 178 Мяч BGA |
| M55D4G32128A ((2R) | 128 Мбx32 | LPDDR3 SDRAM 1,8 В/ 1,2 В | - | 800/933/1066 МГц | 178 Мяч BGA |
| LPDDR4x SDRAM | |||||
| 2 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M56Z2G16128A (2R) | 128 Мбx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 МГц | 200 шаров BGA |
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M56Z4G16256A ((2H) | 256 Мбx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 МГц | 200 шаров BGA |
| M56Z4G32128A (2R) | 128 Мбx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 МГц | 200 шаров BGA |
| 8 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M56Z8G32256A | 256 Мбx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866 МГц | 200 шаров BGA |
| M56Z8G32256A (2H) | 256 Мбx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 2133 МГц | 200 шаров BGA |
Родственные продукты
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
F59L1G81LB SLC NAND или SLC NAND Flash Memory IC F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI NOR Флэш IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 ГБ M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 ГБ M56Z2G16128A (2R) 4 ГБ M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 ГБ M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Микросхема LPSDR SDRAM
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128 МБ DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 МБ DRAM IC DDR SDRAM
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166 МГц TSOP M12L5121632A-7TG2T 143 МГц TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200 МГц BGA M12L5121632A-6BG2T 166 МГц BGA M12L5121632A-7BG2T 143 МГц BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ИС памяти ESMT SDRAM 3,3 В
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Отправьте RFQ
Запас:
In Stock
МОК:
100pieces