F59L1G81LB SLC NAND или SLC NAND Flash Memory IC F59L1G81LB-25TG2M
производитель:
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Описание:
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8, 3,3 В, ECC: 1 бит/528 байт, 25 нс, 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
Категория:
ИС микроконтроллера
В-запас:
В наличии
Цена:
Contact us
Метод оплаты:
Т/Т
Способ перевозки:
выражать
Спецификации
Название продукта:
F59L1G81LB ИС флэш-памяти SLC NAND F59L1G81LB-25TG2M
Описание:
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8, 3,3 В, ECC: 1 бит/528 байт, 25 нс, 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
Категория:
Интегральные схемы (ИС)-F59L1G81LB
Пакет/кейс:
48ЦОПИ/ 63БГА/ 67БГА
Рабочая температура:
-40°C ~ 85°C (ТА)
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Производитель:
ESMT
Базовый номер продукта:
F59L1G81LB
Номера деталей:
F59L1G81LB (2M) F59L1G81MB (2M) F59D1G81LB (2M) F59D1G161LB (2M) F59D1G81MB (2M) F59D1G161MB (2M)
Введение
F59L1G81LB SLC NAND Флэш-память IC F59L1G81LB-25TG2M
Описание:F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
Больше SLC NAND Flash Memory ICs Номер части:
| 1 Гб | |||
| Номер части | Описание | Скорость ((mhz) | Пакет |
| F59L1G81LB (2M) | SLC NAND Flash, x8, 3.3V, ECC:1bit/528Byte | 25 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59L1G81MB (2M) | SLC NAND Flash, x8, 3.3V, ECC:4bit/528Byte | 25 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59D1G81LB (2M) | SLC NAND Flash, x8, 1.8V, ECC:1bit/512Byte | 45 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59D1G161LB (2M) | SLC NAND Flash, x16, 1.8V, ECC:1bit/256Word | 45 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шары BGA |
| F59D1G81MB (2M) | SLC NAND Flash, x8, 1.8V, ECC:4bit/512Byte | 45 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59D1G161MB (2M) | SLC NAND Flash, x16, 1.8V, ECC:4bit/256Word | 45 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шары BGA |
| 2 Гб | |||
| Номер части | Описание | Скорость ((mhz) | Пакет |
| F59L2G81XA ((2B) | SLC NAND Flash, x8, 3.3V, 8 бит /544 байта | 25 нс | 48 штифтов TSOPI/63 Ball BGA/67 Ball BGA |
| F59D2G81XA ((2B) | SLC NAND Flash, x8, 1.8V, 8 бит /544 байта | 45 нс | 48 штифтов TSOP/ 63 шары BGA |
| F59L2G81KA(2N) | SLC NAND Flash, x8, 3.3V, ECC:8bit/512byte | 25 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59D2G81KA(2N) | SLC NAND Flash, x8, 1.8V, ECC:8bit/512Byte | 45 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| 4 Гб | |||
| Номер части | Описание | Скорость ((mhz) | Пакет |
| F59L4G81XB(2X) | SLC NAND Flash, x8, 3.3V, ECC:8bit/ 512Byte | 25 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59D4G81XB ((2X) | SLC NAND Flash, x8, 1.8V, ECC:8bit/ 512Byte | 45 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59L4G81KA(2R) | SLC NAND Flash, x8, 3.3V, ECC:8bit / 512Byte | 25 нс | 48 штифта TSOP/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59D4G81KA(2R) | SLC NAND Flash, x8, 1.8V, ECC:8bit/ 512Byte | 45 нс | 48 штифтов TSOPI/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
| F59L4G161KA ((2R) | SLC NAND Flash, x16, 3.3V, ECC:8bit / 256 слов | 25 нс | 67 Мяч BGA |
| 8 Гб | |||
| Номер части | Описание | Скорость ((mhz) | Пакет |
| F59L8G81XA(2Y) | SLC NAND Flash, x8, 3.3V, ECC:8bit/540byte | 25 нс | 48 штифтов TSOP/ 63 шары BGA |
| F59L8G81KSA(2R) | SLC NAND Flash, x8, 3.3V, ECC:8bit/512byte | 25 нс | 48 штифтов TSOP/ 63 шары BGA |
| F59D8G81KSA(2R) | SLC NAND Flash, x8, 1.8V, ECC:8bit/512byte | 45 нс | 48 штифтов TSOP/ 63 шары BGA |
| F59D8G81KDA ((2R) | SLC NAND Flash, x8, 1.8V, ECC:8bit/512byte | 45 нс | 48 штифта TSOP/ 63 шарик BGA/ 67 шарик BGA |
Применение:
Автомобильная промышленность
Сетевое сотрудничество
Потребитель
Настройка верхней коробки
Промышленный
Дисплей
IOT
Охрана безопасности
Носящиеся устройства
Периферийные устройства для ПК
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) является профессиональной компанией по проектированию микропроводников, основанной в июне 1998 года в Тайваньском научно-промышленном парке Хсинчу.Основной бизнес компании включает в себя собственный бренд IC дизайн продукцииВ марте 2002 года компания ESMT была успешно размещена на Тайваньской фондовой бирже под кодом 3006.
ESMT SPI NAND Flash Продукты больше на складе:
| SPI NAND | |||
| 1 Гб | |||
| Номер части | Описание | Скорость ((mhz) | Пакет |
| F50L1G41LB ((2M) | SPI NAND Flash, 3,3 В | 104 МГц | 8-контактный WSON |
| F50D1G41LB ((2M) | SPI NAND Flash, 1,8 В | 50 МГц | 8-контактный WSON |
| F50L1G41XA ((2B) | SPI NAND Flash, 3,3 В | 104 МГц | 8-контактный WSON/ 24 шары BGA |
| 2 Гб | |||
| Номер части | Описание | Скорость ((mhz) | Пакет |
| F50L2G41XA ((2B) | SPI NAND Flash, 3,3 В | 104 МГц | 8-контактный WSON |
| F50L2G41XA (2BE) | SPI NAND Flash, 3,3 В | 104 МГц | 8-контактный LGA |
| F50D2G41XA(2BE) | SPI NAND Flash, 1,8 В | 83 МГц | 8-контактный LGA |
| F50D2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 1,8 В | 83/ 104 МГц | 8-контактный WSON |
| 4 Гб | |||
| Номер части | Описание | Скорость ((mhz) | Пакет |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND Flash 1,8 В | 83 МГц | 8-контактный LGA |
| F50L4G41XB ((2X) | SPI NAND Flash, 3,3 В | 104 МГц | 8-контактный WSON |
| F50D4G41XB ((2XE) | SPI NAND Flash 1,8 В | 83 МГц | 8-контактный LGA |
Родственные продукты
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
EN25QX256A SPI NOR Флэш IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 ГБ M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 ГБ M56Z2G16128A (2R) 4 ГБ M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 ГБ M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Микросхема LPSDR SDRAM
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128 МБ DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 МБ DRAM IC DDR SDRAM
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166 МГц TSOP M12L5121632A-7TG2T 143 МГц TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200 МГц BGA M12L5121632A-6BG2T 166 МГц BGA M12L5121632A-7BG2T 143 МГц BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Память IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ИС памяти ESMT SDRAM 3,3 В
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Отправьте RFQ
Запас:
In Stock
МОК:
10pieces