M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Микросхема LPSDR SDRAM
производитель:
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Описание:
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
Категория:
ИС микроконтроллера
В-запас:
In Stock
Цена:
Contact us
Метод оплаты:
T/T
Способ перевозки:
Express
Спецификации
Product Name:
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
Category:
Integrated Circuits (ICs)-M52D64322A
Package / Case:
BGA
Operating Temperature:
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type:
Surface Mount
Mfr:
ESMT
Base Product Number:
M52D64322A
Part numbers:
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) LPSDR SDRAM IC
Введение
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A ((2F) M52D256328A ((2F) LPSDR SDRAM IC
Применение:
Автомобильная промышленность
Сетевое сотрудничество
Потребитель
Настройка верхней коробки
Промышленный
Дисплей
IOT
Охрана безопасности
Носящиеся устройства
Периферийные устройства для ПК
| LPSDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D64322A (2S) | 2 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 4K | 166 МГц | 54 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D2561616A ((2F) | 16 Мбx16 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166/200 МГц | 54 Мяч FBGA |
| M52D256328A(2F) | 8 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 4K | 143/166 МГц | 90 шаров FBGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M52D5123216A | 16 Мбx32 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166 МГц | 90 шаров BGA |
| M52D5121632A | 32 Мбx16 | LPSDR SDRAM 1,8 В | 8K | 143/166/200 МГц | 54 Мяч FBGA |
| LPDDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D64164A (2C) | 4 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 4K | 200/220 МГц | 60 шаров BGA |
| M13D64322A (2S) | 2 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 4K | 200/222/250 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D2561616A (2F) | 16 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D256328A (2F) | 8 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D5121632A | 32 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D5123216A | 16 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D1G1664A | 64 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D1G3232A | 32 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| LPDDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D64164A (2C) | 4 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 4K | 200/220 МГц | 60 шаров BGA |
| M13D64322A (2S) | 2 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 4K | 200/222/250 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D2561616A (2F) | 16 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D256328A (2F) | 8 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D5121632A | 32 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D5123216A | 16 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 200 МГц | 144 Мяч FBGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M53D1G1664A | 64 Мбx16 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 60 шаров BGA |
| M53D1G3232A | 32 Мбx32 | LPDDR SDRAM 1,8 В | 8K | 133/166/200 МГц | 144 Мяч FBGA |
Номера частей DDR3 SDRAM
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T5121632A | 32 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933 МГц | 96 шарик BGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T1G1664A (2S) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A(2S) | 128 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1,5 В | - | 933/1066/1200 МГц | 96 BAll BGA |
| 2 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T2G8256A(2R) | 256 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T2G16128A(2R) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G16128A ((2P) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T4G16256A (2S) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G16256A ((2C) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G8512A(2S) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T4G8512A ((2C) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| 8 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T8G16512A(2S) | 512Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) является профессиональной компанией по проектированию микропроводников, основанной в июне 1998 года в Тайваньском научно-промышленном парке Хсинчу.Основной бизнес компании включает в себя собственный бренд IC дизайн продукцииВ марте 2002 года компания ESMT была успешно размещена на Тайваньской фондовой бирже под кодом 3006.
ESMT SDRAM Продукты больше на складе:
| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S64164A(2C) | 4 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 4K | 166/200/250 МГц | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S128168A (2S) | 8 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 4K | 160/200/250 МГц | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S2561616A ((2T) | 16 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 7.8с | 166/200/250 МГц | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M13S5121632A ((2T) | 32 Мбx16 | DDR SDRAM 2,5 В | 7.8с | 166/200 МГц | 66 пин TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128 Мб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M14D128168A (2Y) | 8 Мбx16 | DDRII SDRAM, 1,8 В | 4K | 400/533/600/667 МГц | 84 Мяч FBGA |
Родственные продукты
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
F59L1G81LB SLC NAND или SLC NAND Flash Memory IC F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI NOR Флэш IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 ГБ M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 ГБ M56Z2G16128A (2R) 4 ГБ M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 ГБ M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128 МБ DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 МБ DRAM IC DDR SDRAM
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166 МГц TSOP M12L5121632A-7TG2T 143 МГц TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200 МГц BGA M12L5121632A-6BG2T 166 МГц BGA M12L5121632A-7BG2T 143 МГц BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Память IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ИС памяти ESMT SDRAM 3,3 В
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Отправьте RFQ
Запас:
In Stock
МОК:
10pieces