FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
производитель:
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Описание:
FM6BD1G1GMB 1,8 В, 1 ГБ флэш-памяти NAND (128 Мбит x 8) 1,8 В, 1 ГБ LPDDR2 SDRAM (32 Мбит x 32) 45 н
Категория:
ИС микроконтроллера
В-запас:
В наличии
Цена:
Contact us
Метод оплаты:
Т/Т
Способ перевозки:
выражать
Спецификации
Название продукта:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Описание:
FM6BD1G1GMB 1,8 В, 1 ГБ флэш-памяти NAND (128 МБ x 8) 1,8 В, 1 ГБ LPDDR2 SDRAM (32 МБ x 32), 45 нс,
Категория:
Интегральные схемы (ИС)-FM6BD1G1GMB
Пакет/кейс:
10,5х8 (мм) 162БГА
Рабочая температура:
-40°C ~ 85°C (ТА)
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Производитель:
ESMT
Базовый номер продукта:
FM6BD1G1GMB
Номера деталей:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Введение
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Описание:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (мм) 162BGA
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE
Больше микросхем MCP Flash Memory Номера деталей:
| 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6BD1G1GMB(2M) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM62D1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM6BD1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| 2G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM62D2G1GXA (2U) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6BD2G2GXA(2M) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM6BD2G2GXA(2L) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM62D2G2GXA (2L) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM62D2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM6BD2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6HZ2G2GXA (2A) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (мм), 149 шариков |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6BD4G2GXB(2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533/400MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM62D4G2GXB (2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM6BD4G2GKA (2J) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6HZ4G2GXB | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (мм), 149 шариков |
| 4G+4G (NAND Flash +LPDDR2) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 400/ 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM6BD4G4GXMB (2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| FM6BD4G4GKMA (2J) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (мм), 162 шарика |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6HZ4G4GXB | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/2133MHz | 9.5x8 (мм), 149 шариков |
| 8G+8G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6HZ8G8GXDZB(2H) | 1.8V 4Gb x2die NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/ 2133MHz | 9.5x8 (мм), 149 шариков |
| 16G+16G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| FM6HZ16G16GXA (2D) | 1.8V 8Gb x2die NAND Flash (1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM (1Gbx16) | 30ns; 2133MHz | |
Применение:
Автомобильная промышленность
Сети
Потребительская электроника
Приставки
Промышленность
Дисплеи
Интернет вещей
Системы видеонаблюдения
Носимые устройства
Компьютерная периферия
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) - профессиональная компания по разработке микросхем, основанная в июне 1998 года в Научном индустриальном парке Синьчжу на Тайване. Основным направлением деятельности компании является разработка, производство, продажа и техническое обслуживание микросхем собственной торговой марки. ESMT успешно вышла на Тайваньскую фондовую биржу под кодом 3006 в марте 2002 года.
Продукты ESMT SPI NAND Flash в наличии:
| SPI NAND | |||
| 1 Гб | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| F50L1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-контактный WSON |
| F50D1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 1.8V | 50MHz | 8-контактный WSON |
| F50L1G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-контактный WSON/ 24 Ball BGA |
| 2 Гб | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| F50L2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-контактный WSON |
| F50L2G41XA (2BE) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-контактный LGA |
| F50D2G41XA(2BE) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83MHz | 8-контактный LGA |
| F50D2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83/ 104 МГц | 8-контактный WSON |
| 4 Гб | |||
| Номер детали | Описание | Скорость (МГц) | Корпус |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND Flash 1.8V | 83MHz | 8-контактный LGA |
| F50L4G41XB(2X) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-контактный WSON |
| F50D4G41XB(2XE) | SPI NAND Flash 1.8V | 83MHz | 8-контактный LGA |
Родственные продукты
F59L1G81LB SLC NAND или SLC NAND Flash Memory IC F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI NOR Флэш IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 ГБ M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 ГБ M56Z2G16128A (2R) 4 ГБ M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 ГБ M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Микросхема LPSDR SDRAM
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128 МБ DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 МБ DRAM IC DDR SDRAM
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166 МГц TSOP M12L5121632A-7TG2T 143 МГц TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200 МГц BGA M12L5121632A-6BG2T 166 МГц BGA M12L5121632A-7BG2T 143 МГц BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Память IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ИС памяти ESMT SDRAM 3,3 В
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Отправьте RFQ
Запас:
In Stock
МОК:
10pieces