M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
производитель:
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Описание:
4 ГБ 256 МБx16 1,2 В 1333/1600 МГц DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
Категория:
ИС микроконтроллера
В-запас:
в наличии
Цена:
US$5.80
Метод оплаты:
Т/Т
Способ перевозки:
Выражать
Спецификации
Название продукта:
4 ГБ 256 МБx16 1,2 В 1333/1600 МГц DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
Категория:
Интегральные схемы (ИС)-M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
Пакет / корпус:
BGA
Рабочая температура:
-40 ° C ~ 85 ° C (TA)
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Млн:
ESMT
Базовый номер продукта:
M16U4G16256A
Номера деталей:
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
Введение
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
Применение:
Автомобильная промышленность
Сетевое сотрудничество
Потребитель
Настройка верхней коробки
Промышленный
Дисплей
IOT
Охрана безопасности
Носящиеся устройства
Периферийные устройства для ПК
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) является профессиональной компанией по проектированию микропроводников, основанной в июне 1998 года в Тайваньском научно-промышленном парке Хсинчу.Основной бизнес компании включает в себя собственный бренд IC дизайн продукцииВ марте 2002 года компания ESMT была успешно размещена на Тайваньской фондовой бирже под кодом 3006.
ESMT SDRAM Продукты больше на складе:
Номера частей DDR3 SDRAM
| 512 Мб. | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T5121632A | 32 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933 МГц | 96 шарик BGA |
| 1 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T1G1664A (2S) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A(2S) | 128 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1,5 В | - | 933/1066/1200 МГц | 96 BAll BGA |
| 2 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T2G8256A(2R) | 256 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T2G16128A(2R) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G16128A ((2P) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256 Мбx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| 4 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T4G16256A (2S) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G16256A ((2C) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256 Мбx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
| M15T4G8512A(2S) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| M15T4G8512A ((2C) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35В/ 1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 78 шарик BGA |
| 8 Гб | |||||
| Номер части | Организация | Описание | Обновить | Скорость ((mhz) | Пакет |
| M15T8G16512A(2S) | 512Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35В/1.5В | - | 800/933/1066 МГц | 96 шарик BGA |
Родственные продукты
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
F59L1G81LB SLC NAND или SLC NAND Flash Memory IC F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI NOR Флэш IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 ГБ M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 ГБ M56Z2G16128A (2R) 4 ГБ M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 ГБ M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Микросхема LPSDR SDRAM
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
128 МБ DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 МБ DRAM IC DDR SDRAM
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166 МГц TSOP M12L5121632A-7TG2T 143 МГц TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200 МГц BGA M12L5121632A-6BG2T 166 МГц BGA M12L5121632A-7BG2T 143 МГц BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Память IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ИС памяти ESMT SDRAM 3,3 В
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Отправьте RFQ
Запас:
In Stock
МОК:
10pieces