ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
- Введение
- Новые изделия
Введение
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Компания Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) - профессиональная компания по проектированию интегральных схем, основанная в июне 1998 года в Научном индустриальном парке Синьчжу на Тайване. Основным направлением деятельности компании является проектирование, производство, продажа и техническое обслуживание собственных фирменных продуктов IC. ESMT успешно вышла на Тайваньскую фондовую биржу, код 3006, в марте 2002 года.
Новые изделия
| Изображение | Часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 |
Микросхема памяти ESMT DRAM DDR SDRAM M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5 В 4K 166/200/250 МГц
|
|
В наличии
|
|
|
|
|
FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A) |
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200 МГц 153BGA ИС памяти eMCC FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
|
|
В наличии
|
|
|
|
|
FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP |
FM73E885CQP1B HS400 800/933 МГц 136BGA 8 ГБ eMMC+8 ГБ LPDDR3 или 32 ГБ eMMC+8 ГБ LPDDR3 EPOP FM73E32
|
|
В наличии
|
|
|
|
|
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G) |
FM6BD1G1GMB 1,8 В, 1 ГБ флэш-памяти NAND (128 Мбит x 8) 1,8 В, 1 ГБ LPDDR2 SDRAM (32 Мбит x 32) 45 н
|
|
В наличии
|
|
|
|
|
F59L1G81LB SLC NAND или SLC NAND Flash Memory IC F59L1G81LB-25TG2M |
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8, 3,3 В, ECC: 1 бит/528 байт, 25 нс, 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
|
|
В наличии
|
|
|
|
|
EN25QX256A SPI NOR Флэш IC EN25QX256A-104HIP2S |
256 МБ, 2,7–3,6 В, 104 МГц/133 МГц, SPI NOR, микросхема флэш-памяти
|
|
В наличии
|
|
|
|
|
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP |
Параллельная микросхема загрузочного сектора флэш-памяти NOR емкостью 32 МБ EN29LV320CB-70BIP
|
|
В наличии
|
|
|
|
|
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 ГБ M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 ГБ M56Z2G16128A (2R) 4 ГБ M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 ГБ M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H) |
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
|
|
In Stock
|
|
|
|
|
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Микросхема LPSDR SDRAM |
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
|
|
In Stock
|
|
|
|
|
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A |
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
|
|
In Stock
|
|
|
|
|
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z |
4 ГБ 256 МБx16 1,2 В 1333/1600 МГц DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
|
|
в наличии
|
|
|
|
|
128 МБ DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T |
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2,5 В 4K 160/200/250 МГц 66TSOPII/60BGA DDR SDRAM IC
|
|
в наличии
|
|
|
|
|
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 МБ DRAM IC DDR SDRAM |
M13S64164A(2C) 64 МБ 4 МБx16 DDR SDRAM 2,5 В 4K 166/200/250 МГц 66TSOPII IC
|
|
в наличии
|
|
|
|
|
M12L5121632A-6TG2T 166 МГц TSOP M12L5121632A-7TG2T 143 МГц TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200 МГц BGA M12L5121632A-6BG2T 166 МГц BGA M12L5121632A-7BG2T 143 МГц BGA |
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3,3 В 8K 143/166/200 МГц 54-контактный TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2
|
|
в наличии
|
|
|
|
|
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Память IC |
Микросхема памяти ESMT DRAM DDR SDRAM M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5 В 4K 166/200/250 МГц
|
|
в наличии
|
|
|
|
|
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ИС памяти ESMT SDRAM 3,3 В |
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
|
|
в наличии
|
|